近期，elexcon 2025深圳國際電子展在深圳會展中心(福田)盛大開幕。時創(chuàng)意將攜全系列AI存儲產(chǎn)品矩陣亮相1號館1T12展位，集中展示應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、智能終端等多個領(lǐng)域的先進存儲技術(shù)與創(chuàng)新產(chǎn)品，以技術(shù)突破賦能極致的存儲體驗，助力全球客戶開拓“AI+”浪潮新商機。
▲時創(chuàng)意展臺
當(dāng)AI算力逐漸延伸至終端設(shè)備，存儲系統(tǒng)的響應(yīng)速度已成為制約整體運算效率的關(guān)鍵瓶頸。無論是超大規(guī)模訓(xùn)練集的數(shù)據(jù)吞吐，還是多任務(wù)并發(fā)運算中的實時讀寫，都對存儲設(shè)備的性能提出極高要求。
基于此，時創(chuàng)意在此次展會上發(fā)布了首款PCIe 5.0滿速無緩SSD——S14000 PCIe 5.0x4 NVMe SSD。該產(chǎn)品采用PCle Gen5x4 接口，順序讀寫速度分別高達14000 MB/s、12000 MB/s，4K 隨機讀取速度高達 2100K IOPS；采用先進8通道Dram-Less主控，閃存接口速率高達3600MT/S，1TB~4TB海量存儲空間，集高性能、低功耗、輕薄體積于一體，充分滿足3A游戲加載、4K/8K超清視頻剪輯、AI應(yīng)用等場景需求，適用于AI PC、電競設(shè)備、服務(wù)器等智能終端設(shè)備。
▲S14000 PCIe 5.0x4 NVMe SSD
S14000無緩設(shè)計方案具備以下三大顯著優(yōu)勢：
【能效控制出色】：12nm低功耗主控搭配無緩架構(gòu)，功耗較上一代PCIe 4.0產(chǎn)品降低約30%，高效散熱控制，保障設(shè)備響應(yīng)速度與運算效率；
【成本顯著優(yōu)化】：采用HMB（主機內(nèi)存緩沖）技術(shù)調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存作為緩存，取消了外置DRAM緩存，在維持高性能的同時優(yōu)化成本；
【形態(tài)緊湊輕薄】：單面PCB布局，支持M.2 2280尺寸{80x22x2.25mm(Max)}，輕松兼容AI PC等下一代移動智能設(shè)備。
此外，時創(chuàng)意S14000 PCIe 5.0 SSD還支持端到端數(shù)據(jù)保護、動態(tài)寫入加速、4K LDPC糾錯算法和自適應(yīng)熱保護，進一步保證數(shù)據(jù)完整性和正確性，具備高可靠性與兼容性；支持APST NVMe自主功率狀態(tài)轉(zhuǎn)換，優(yōu)化產(chǎn)品功耗并增加壽命。
以創(chuàng)新方案賦能AI應(yīng)用進階
據(jù)IDC預(yù)測，到2028年全球數(shù)據(jù)總量將增至394ZB。隨著人工智能、大數(shù)據(jù)分析及生成式AI的爆發(fā)式增長，市場對高性能、低延遲、高容量存儲芯片的需求攀升。生成式AI等前沿技術(shù)對存儲系統(tǒng)的讀寫速度、耐久性和能效比提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在此次展會上，時創(chuàng)意重磅展示嵌入式存儲芯片、DRAM內(nèi)存模組、SSD固態(tài)硬盤及移動存儲產(chǎn)品等多元化產(chǎn)品矩陣，滿足AI眼鏡、AI手機、AI手表等多場景對輕量化設(shè)計、“高存力”的需求:
時創(chuàng)意全系高性能存儲產(chǎn)品
【ePOP】：0.6mm超薄厚度，傳輸速率達4266Mbps，支持16Gb+64GB容量，集強大讀寫、高速率、低功耗等優(yōu)勢于一體，為智能手表、智能眼鏡、AR/VR等設(shè)備提供高能效存儲解決方案，同時實現(xiàn)更為緊湊的組件空間。
【LPDDR5X】：傳輸速率達8533Mbps，引入多Bank Group模式、動態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVFS)、自適應(yīng)刷新管理等功能，相較上一代產(chǎn)品性能提升33%，功耗降低達25%，充分滿足AI PC、AI手機等新一代智能終端的存儲需求。
【Mini eMMC】: 小尺寸eMMC契合AI眼鏡、智能手表/手環(huán)等超薄要求，尺寸僅7.2×7.2×0.8mm，4GB-128GB存儲空間，有效提升設(shè)備傳輸速度，實現(xiàn)多任務(wù)處理響應(yīng)。
▲ePOP、LPDDR5X、Mini eMMC
【UFS3.1】：面向新一代高端旗艦級移動設(shè)備，順序讀取速度高達2100MB/s，支持128GB-1TB容量，支持寫入增強、深度睡眠、性能調(diào)整通知及主機性能增強技術(shù)。
【S14000 Pro】：順序讀寫速度分別高達14000MB/s、13000MB/s，4TB超大容量，支持動態(tài)寫入加速、4K LDPC糾錯算法、自適應(yīng)熱保護等技術(shù)，助力AI模型訓(xùn)練、推理加速以及海量數(shù)據(jù)的高效處理。
【S7000 Pro】：PCIe 4.0 x4接口，順序讀寫速度分別高達7400MB/s、6400MB/s，容量高達4TB，應(yīng)用于高端臺式電腦、電競設(shè)備等領(lǐng)域，賦予極致流暢的操作體驗。
UFS3.1、S14000 Pro、S7000 Pro
此次elexcon 2025展會，時創(chuàng)意以高性能存儲技術(shù)及深厚研發(fā)能力積淀，全面展示了覆蓋AI應(yīng)用、AI服務(wù)器、智算中心等全場景存儲創(chuàng)新解決方案，助力打造更智能、更流暢的下一代AI智能設(shè)備。
隨著AI應(yīng)用場景逐漸升級，時創(chuàng)意將持續(xù)深耕存儲技術(shù)創(chuàng)新，緊跟AI技術(shù)演進帶來的存儲需求變革，致力存儲產(chǎn)品在性能、功耗、集成度等方面的持續(xù)突破，為終端用戶、企業(yè)客戶及生態(tài)伙伴提供高性能、高可靠性的存儲系列產(chǎn)品，同時加速服務(wù)AI終端產(chǎn)業(yè)鏈，推動從硬件性能到用戶體驗的全面進階，賦能“AI+”產(chǎn)業(yè)智能生態(tài)。
▲現(xiàn)場合影
